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IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏

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dami 发表于 2023-3-29 11:24:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
  igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻,对于正常的igbt管(正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的igbt管正常时,e、c极间均有4kw正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kwl左右,则所测管为含阻尼二极管的igbt管,若所测值在50kw左右,则所测igbt管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,igbt管的c、c极问正向压降约为0.5v。
  综上所述,内含阻尼二极管的igbt管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,

  其他连接检测的读数均为无穷大。
  如果测得igbt管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得igbt管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中igbt管多为击穿损坏。为使保护正常输出,不使用的保护必须拉为高电平(对脚1),或是通过电容接地(对脚8)。
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万用表如何判断IGBT的好坏

将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。

注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G)。

任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

万用表检测IGBT管的C--E极:
1、红表笔接C极黑表笔接E极(指带有阻尼管的),应该有正向导通电阻值。
2、反向测量C--E不通(无穷大的电阻值)。
3、其它各管脚间应该无穷大(不通)。
4、 IGBT管型号尾部带D的是有阻尼管的。
IGBT管型号尾部不带D的是无阻尼管的。
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如何检测IGBT
判断极性 :
将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,将黑表笔固定接在某一电极上,另一表笔(红表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,对调用红表笔固定接在这一电极(原黑表笔接的那只管脚)上,另一表笔(黑表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为漏极(D);黑表笔接的为源极(S)。
判断好坏 :
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。
注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G)。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

功率场效应管直流参数分选仪
主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量,筛选。
一、简介:
1、采用高精度AD,满足测量精度,而高速微处理器和电子开关,使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法,可以提供10A~最大75A以上的测试电流,而不会使被测管子发热。有自动均流功能,确保被测管安全。
  2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能,当不是Vmos管时或错插等,测量不能继续。在测量前后,测量插座栅源之间是短路状态,以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
  3、有20A~150A容量选择,即便是选错电流档用最大电流测量小容量管子,也不会损害被测管。
  4、可设定的有:开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量,蜂鸣器会报警,并且哪个参数超限,会闪烁提示,用户可以不大理会符合标准的参数具体数据,只在报警时注意闪烁的参数,这样极大的方便了工业批量测量。
5、操作简单,只按测试按钮,就可以得到4项主要参数。
二、主要指标:
  1、测量VMOS管可同时显示:
    通态电阻Ron 1~999mΩ (超过999 mΩ时,自动转为9.99Ω挡)
    跨导Gfs 0~99.9S
    开启电压Ut 1~7.5V
    极间电容Cir 0.1~9.9 (np)
  2、如果您需要,通过辅助功能键,还可以得到:
    a、Cir 1% nP精度;
    b、Ut 1%V 精度;
    c、测量Ron时的: Ids(max A),Vds(min V);
d、以及测量Ggs时:Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED显示。
4、采用工业开关电源,可以在160V~230V 正常工作。

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